溅射镀膜有多种方式。按电*结构分类，可以分为直流二级溅射、三级溅射、磁控溅射、对向靶溅射和电子回旋共振（ECR）溅射等。在这些基本溅射镀膜方式的基础上，进一步改进可成为反应溅射、偏压溅射、射频溅射、自溅射和离子束溅射等。本书不介绍每种溅射镀膜方式的具体情况，仅就其特点进行简单讨论。

（1）直流二级溅射：

这是*简单的溅射镀膜方式。方法虽然简单，但放电不稳定，沉积速率低。为了提高溅射速率，改善膜层质量，又制作出三*溅射装置（在直流二*溅射装置的基础上附加热阴*）和四*溅射装置（在直流二*溅射靶和基体垂直的位置上，分别放置一热阴*和辅助阳*）。如采用射频电源（频率常为13.56MHz）作为靶阴*电源，又可做成直流二*或多*射频溅射装置，这种装置能溅射绝缘材料。

（2）磁控溅射：

磁控溅射又称高速低温溅射，与直流二*溅射相比具有沉积速率高，工作气压低，镀膜质量好，工艺稳定的优点，便于大规模生产。磁控溅射镀膜是当前制备硬质薄膜的主要方法。该方法既可以实现低温溅射，又可以实现高速溅射。这里的低温和高速都是相对直流二级溅射而言。

（3）射频溅射：

射频溅射可在低气压（1~10~'Pa）下进行。同时，射频溅射可沉积绝缘体薄膜。

（4）反应溅射：

反应溅射是在溅射镀膜中，引入某些活性反应气体与溅射成不同于靶材的化合物薄膜。反应气体有Ｏ2、Ｎ2、ＣＨ4等。反应溅射的靶材可以是纯金属，也可以是化合物。反应溅射也可采用磁控溅射。